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■講演会の概要
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●日 時 |
２０１０年５月１８日（火） １４：００〜１７：１５ |
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●会 場 |
全国家電会館
＜東京都文京区湯島３-６-１＞ 会場地図はこちら
※急ぎのご連絡は(株)メガセミナー・サービス(TEL06-6363-3372)まで！！
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●受講料 |
３５，７００円（１人/税込み）
※資料代を含む |
●4/18迄
早割適用
受講料 |
３３，９１５円（税込）/１人
※『早割制度』…開催日の１ヶ月前までにお申し込みの方に限り、
受講料を５％割引いたします。 |
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●主 催 |
(株)エヌ・ティー・エス
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●講 師 |
独立行政法人産業技術総合研究所
エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ
主任研究員 岩室 憲幸
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■講演会のプログラム内容 |
| ■次世代パワー半導体デバイス開発と最新技術動向
●時 間１４：００〜１７：１５
●内容
現在パワーデバイスは大きな転機にさしかかっていると言われている。IGBTが誕生して四半世紀が過ぎ、そろそろ特性限界が見え始めているという声も聞かれる。そんな中、次世代のパワーデバイスは何なのか？
IGBTの一層の特性改善か、IGBTを凌駕するシリコンデバイスの提案か？またシリコンではなく、SiCやGaNを用いたデバイスか？
本セミナーでは、最近特に注目を集めているIGBTについて、その構造や動作原理など、開発の歴史と共に紹介し、「IGBTはなぜオン電圧が低いのか」「なぜスイッチング損失が少ないのか」「そしてなぜ壊れにくいのか」など、その優れた特性について、素子内部の電子・正孔の動きや構造などを根本から解説する。興味あるテーマについて議論できればと考えている。
１．パワーデバイスの現状
２．パワーデバイス開発の歴史
・IGBT開発の歴史
・パワーデバイス
シミュレーション技術
３．IGBT動作
４．IGBT 最新技術とその応用および今後の動向
５．新材料によるパワーデバイスの開発
・SiC パワーデバイスの開発
・GaN パワーデバイスの開発
６．まとめ
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